Bilet nr Fibrele sunt multimod cu indice gradat, dispersia va cuprinde efectul dispersiei modale şi cromatice Pentru fiecare tronson (C7/2015, S

Bilet nr. 1 ibra 1: Δτ od =.68 ns, Δτ r = 2.299 ns, Δτ 1 = 2.397 ns ibra 2: Δτ od = 1.234 ns, Δτ r = 1.785 ns, Δτ 2 = 2.17 ns ibra 3: Δτ od = 1.8 ns, Δτ r = 2.38 ns, Δτ 3 = 2.614 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 7.182 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.433 GHz; V = 86.64Mb/s Led: = 625n, E g = 3.18 1-19 J = 1.986eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.562) = x =.49, opoziţia este: Ga.591 Al.49 As Laser: = 1395n, E g = 1.42 1-19 J =.89eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.46 = y =.727, x =.4526/(1-.31 y) =.463, opoziţia este:in.463 Ga.537 As.727.273 riul indiator: = 55n, V() =.4278, o = 1 11.5W = 115.W, v1 ~ o V() 683l/W = 33.6 1 3 l Al doilea indiator: = 45n, V() =.647, o = 16 1.7W = 171.2W, v2 ~ o V() 683l/W = 7.6 1 3 l 33.6 > 7.57 dei priul indiator e ai luinos 4. a).w, b) 2.1W, ) 5.4W, la urentul de 3A dioda NU este saturată. 5. e [db] = 5.7 db; r [db] = 1 lg(73μw/1w) = -11.37dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.86dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 39.55GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 26.7 X 26.7 = 712.89 2 =.713 2 = 9W/ 2 η = 1.2 W; I p = / V p = 1.2W / 12.35V =.826 A V p = 12.35V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.713 2 15.9% 82% /.11N 632 W h/ 2 = 534.2 d deebrie =.713 2 15.9% 82% /.11N 82 W h/ 2 = 677.7 E

Bilet nr. 2 ibra 1: Δτ od = 1.458 ns, Δτ r = 1.693 ns, Δτ 1 = 2.234 ns ibra 2: Δτ od = 1.18 ns, Δτ r = 1.123 ns, Δτ 2 = 1.577 ns ibra 3: Δτ od =.599 ns, Δτ r = 1.192 ns, Δτ 3 = 1.334 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 5.145 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.65 GHz; V = 12.93Mb/s Led: = 84n, E g = 2.36 1-19 J = 1.478eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.54) = x =.42, opoziţia este: Ga.958 Al.42 As Laser: = 129n, E g = 1.54 1-19 J =.962eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.388 = y =.598, x =.4526/(1-.31 y) =.461, opoziţia este:in.461 Ga.539 As.598.42 riul indiator: = 6n, V() =.6919, o = 1 11.8W = 118.W, v1 ~ o V() 683l/W = 55.8 1 3 l Al doilea indiator: = 495n, V() =.2851, o = 14 19.3W = 27.2W, v2 ~ o V() 683l/W = 52.6 1 3 l 55.76 > 52.61 dei priul indiator e ai luinos 4. a).w, b).2w, ) 2.8W, la urentul de 3A dioda ETE saturată. 5. e [db] = 7.8 db; r [db] = 1 lg(82μw/1w) = -1.86dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] = 1.12dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 35.38GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 22.5 X 22.5 = 56.25 2 =.56 2 = 9W/ 2 η = 5.79 W; I p = / V p = 5.79W / 12.V =.482 A V p = 12.V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.56 2 12.7% 74% /.225N 632 W h/ 2 = 1336.4 d deebrie =.56 2 12.7% 74% /.225N 82 W h/ 2 = 169.6 E

Bilet nr. 3 ibra 1: Δτ od =.836 ns, Δτ r = 2.136 ns, Δτ 1 = 2.294 ns ibra 2: Δτ od =.555 ns, Δτ r = 2.43 ns, Δτ 2 = 2.466 ns ibra 3: Δτ od =.965 ns, Δτ r = 1.748 ns, Δτ 3 = 1.996 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 6.756 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.46 GHz; V = 92.1Mb/s Led: = 635n, E g = 3.13 1-19 J = 1.955eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.531) = x =.388, opoziţia este: Ga.612 Al.388 As Laser: = 111n, E g = 1.79 1-19 J = 1.118eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.232 = y =.341, x =.4526/(1-.31 y) =.457, opoziţia este:in.457 Ga.543 As.341.659 riul indiator: = 52n, V() =.7181, o = 18 18.9W = 34.2W, v1 ~ o V() 683l/W = 166.9 1 3 l Al doilea indiator: = 56n, V() =.9968, o = 14 13.2W = 184.8W, v2 ~ o V() 683l/W = 125.8 1 3 l 166.85 > 125.81 dei priul indiator e ai luinos 4. a).w, b).w, ) 2.6W, la urentul de 3A dioda NU este saturată. 5. e [db] = 8.1 db; r [db] = 1 lg(133μw/1w) = -8.76dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] = 1.4dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 47.5GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 26.9 X 26.9 = 723.61 2 =.724 2 = 9W/ 2 η = 8.92 W; I p = / V p = 8.92W / 12.5V =.74 A V p = 12.5V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.724 2 13.7% 71% /.215N 632 W h/ 2 = 269. d deebrie =.724 2 13.7% 71% /.215N 82 W h/ 2 = 262.6 E

Bilet nr. 4 ibra 1: Δτ od = 1.412 ns, Δτ r = 1.766 ns, Δτ 1 = 2.261 ns ibra 2: Δτ od = 1.488 ns, Δτ r = 1.96 ns, Δτ 2 = 2.418 ns ibra 3: Δτ od =.823 ns, Δτ r = 1.929 ns, Δτ 3 = 2.97 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 6.776 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.459 GHz; V = 91.83Mb/s Led: = 6n, E g = 3.31 1-19 J = 2.69eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.645) = x =.464, opoziţia este: Ga.536 Al.464 As Laser: = 151n, E g = 1.32 1-19 J =.822eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.528 = y =.855, x =.4526/(1-.31 y) =.465, opoziţia este:in.465 Ga.535 As.855.145 riul indiator: = 515n, V() =.626, o = 15 14.9W = 223.5W, v1 ~ o V() 683l/W = 94.7 1 3 l Al doilea indiator: = 59n, V() =.8116, o = 15 17.8W = 267.W, v2 ~ o V() 683l/W = 148. 1 3 l 94.74 < 148. dei al doilea indiator e ai luinos 4. a).3w, b) 3.2W, ) 3.8W, la urentul de 3A dioda ETE saturată. 5. e [db] = 1.9 db; r [db] = 1 lg(75μw/1w) = -11.25dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] = 1.21dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 27.59GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 23.1 X 23.1 = 533.61 2 =.534 2 = 9W/ 2 η = 6.5 W; I p = / V p = 6.5W / 11.95V =.56 A V p = 11.95V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.534 2 12.6% 76% /.19N 632 W h/ 2 = 1699.7 d deebrie =.534 2 12.6% 76% /.19N 82 W h/ 2 = 215.7 E

Bilet nr. 5 ibra 1: Δτ od =.814 ns, Δτ r = 1.67 ns, Δτ 1 = 1.82 ns ibra 2: Δτ od =.689 ns, Δτ r = 1.36 ns, Δτ 2 = 1.525 ns ibra 3: Δτ od =.751 ns, Δτ r = 1.978 ns, Δτ 3 = 2.116 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 5.443 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.572 GHz; V = 114.33Mb/s Led: = 735n, E g = 2.7 1-19 J = 1.689eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.265) = x =.21, opoziţia este: Ga.799 Al.21 As Laser: = 1585n, E g = 1.25 1-19 J =.783eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.567 = y =.932, x =.4526/(1-.31 y) =.466, opoziţia este:in.466 Ga.534 As.932.68 riul indiator: = 615n, V() =.4896, o = 16 1.9W = 174.4W, v1 ~ o V() 683l/W = 58.3 1 3 l Al doilea indiator: = 65n, V() =.627, o = 14 17.W = 238.W, v2 ~ o V() 683l/W = 11.9 1 3 l 58.32 < 11.92 dei al doilea indiator e ai luinos 4. a).4w, b) 2.6W, ) 2.6W, la urentul de 3A dioda ETE saturată. 5. e [db] = 7.6 db; r [db] = 1 lg(124μw/1w) = -9.7dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] = 1.3dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 29.13GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 2.2 X 2.2 = 48.4 2 =.48 2 = 9W/ 2 η = 5.21 W; I p = / V p = 5.21W / 11.85V =.44 A V p = 11.85V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.48 2 14.2% 72% /.245N 632 W h/ 2 = 176.2 d deebrie =.48 2 14.2% 72% /.245N 82 W h/ 2 = 136.6 E

Bilet nr. 6 ibra 1: Δτ od =.431 ns, Δτ r = 2.339 ns, Δτ 1 = 2.379 ns ibra 2: Δτ od =.94 ns, Δτ r = 2.642 ns, Δτ 2 = 2.84 ns ibra 3: Δτ od =.94 ns, Δτ r = 1.927 ns, Δτ 3 = 2.144 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 7.327 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.425 GHz; V = 84.93Mb/s Led: = 665n, E g = 2.99 1-19 J = 1.867eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.443) = x =.327, opoziţia este: Ga.673 Al.327 As Laser: = 1545n, E g = 1.29 1-19 J =.84eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.546 = y =.891, x =.4526/(1-.31 y) =.465, opoziţia este:in.465 Ga.535 As.891.19 riul indiator: = 55n, V() =.989, o = 15 19.4W = 291.W, v1 ~ o V() 683l/W = 196.6 1 3 l Al doilea indiator: = 63n, V() =.2981, o = 16 16.9W = 27.4W, v2 ~ o V() 683l/W = 55.1 1 3 l 196.57 > 55.5 dei priul indiator e ai luinos 4. a).w, b) 1.2W, ) 3.7W, la urentul de 3A dioda NU este saturată. 5. e [db] = 8.9 db; r [db] = 1 lg(125μw/1w) = -9.3dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.69dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 34.85GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 27.8 X 27.8 = 772.84 2 =.773 2 = 9W/ 2 η = 1.43 W; I p = / V p = 1.43W / 11.9V =.877 A V p = 11.9V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.773 2 15.% 84% /.145N 632 W h/ 2 = 4244.3 d deebrie =.773 2 15.% 84% /.145N 82 W h/ 2 = 538.6 E

Bilet nr. 7 ibra 1: Δτ od =.766 ns, Δτ r =.881 ns, Δτ 1 = 1.167 ns ibra 2: Δτ od =.766 ns, Δτ r = 1.228 ns, Δτ 2 = 1.447 ns ibra 3: Δτ od =.431 ns, Δτ r =.856 ns, Δτ 3 =.958 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 3.573 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.871 GHz; V = 174.18Mb/s Led: = 845n, E g = 2.35 1-19 J = 1.469eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.45) = x =.35, opoziţia este: Ga.965 Al.35 As Laser: = 152n, E g = 1.31 1-19 J =.817eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.533 = y =.865, x =.4526/(1-.31 y) =.465, opoziţia este:in.465 Ga.535 As.865.135 riul indiator: = 52n, V() =.7181, o = 11 19.7W = 216.7W, v1 ~ o V() 683l/W = 16.3 1 3 l Al doilea indiator: = 555n, V() =.9995, o = 18 11.2W = 21.6W, v2 ~ o V() 683l/W = 137.6 1 3 l 16.28 < 137.62 dei al doilea indiator e ai luinos 4. a).w, b) 2.6W, ) 3.3W, la urentul de 3A dioda ETE saturată. 5. e [db] = 6.6 db; r [db] = 1 lg(52μw/1w) = -12.84dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.86dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 46.35GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 22.6 X 22.6 = 51.76 2 =.511 2 = 9W/ 2 η = 6.9 W; I p = / V p = 6.9W / 12.25V =.563 A V p = 12.25V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.511 2 15.% 77% /.115N 632 W h/ 2 = 3242. d deebrie =.511 2 15.% 77% /.115N 82 W h/ 2 = 411.4 E

Bilet nr. 8 ibra 1: Δτ od =.6 ns, Δτ r = 2.827 ns, Δτ 1 = 2.89 ns ibra 2: Δτ od = 1.434 ns, Δτ r = 2.462 ns, Δτ 2 = 2.849 ns ibra 3: Δτ od = 1.351 ns, Δτ r = 2.628 ns, Δτ 3 = 2.955 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 8.694 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.358 GHz; V = 71.57Mb/s Led: = 62n, E g = 3.2 1-19 J = 2.2eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.578) = x =.42, opoziţia este: Ga.58 Al.42 As Laser: = 1215n, E g = 1.63 1-19 J = 1.22eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.328 = y =.497, x =.4526/(1-.31 y) =.46, opoziţia este:in.46 Ga.54 As.497.53 riul indiator: = 595n, V() =.7545, o = 15 16.7W = 25.5W, v1 ~ o V() 683l/W = 129.1 1 3 l Al doilea indiator: = 55n, V() =.989, o = 13 13.5W = 175.5W, v2 ~ o V() 683l/W = 118.6 1 3 l 129.8 > 118.55 dei priul indiator e ai luinos 4. a).w, b) 1.W, ) 3.6W, la urentul de 3A dioda NU este saturată. 5. e [db] = 7.7 db; r [db] = 1 lg(146μw/1w) = -8.36dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.58dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 38.39GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 25.1 X 25.1 = 63.1 2 =.63 2 = 9W/ 2 η = 9.2 W; I p = / V p = 9.2W / 11.8V =.764 A V p = 11.8V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.63 2 15.9% 8% /.195N 632 W h/ 2 = 2597.3 d deebrie =.63 2 15.9% 8% /.195N 82 W h/ 2 = 329.6 E

Bilet nr. 9 ibra 1: Δτ od =.749 ns, Δτ r = 1.333 ns, Δτ 1 = 1.529 ns ibra 2: Δτ od =.918 ns, Δτ r = 1.446 ns, Δτ 2 = 1.712 ns ibra 3: Δτ od = 1.452 ns, Δτ r =.964 ns, Δτ 3 = 1.743 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 4.985 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.624 GHz; V = 124.84Mb/s Led: = 72n, E g = 2.76 1-19 J = 1.724eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.3) = x =.226, opoziţia este: Ga.774 Al.226 As Laser: = 115n, E g = 1.73 1-19 J = 1.8eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.27 = y =.43, x =.4526/(1-.31 y) =.458, opoziţia este:in.458 Ga.542 As.43.597 riul indiator: = 575n, V() =.9425, o = 18 13.4W = 241.2W, v1 ~ o V() 683l/W = 155.3 1 3 l Al doilea indiator: = 62n, V() =.423, o = 14 19.2W = 268.8W, v2 ~ o V() 683l/W = 77.7 1 3 l 155.26 > 77.66 dei priul indiator e ai luinos 4. a).w, b) 2.1W, ) 2.9W, la urentul de 3A dioda ETE saturată. 5. e [db] = 11.3 db; r [db] = 1 lg(14μw/1w) = -8.54dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] = 1.7dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 8.84GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 26.7 X 26.7 = 712.89 2 =.713 2 = 9W/ 2 η = 8.98 W; I p = / V p = 8.98W / 12.45V =.721 A V p = 12.45V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.713 2 14.% 8% /.225N 632 W h/ 2 = 2242.7 d deebrie =.713 2 14.% 8% /.225N 82 W h/ 2 = 284.6 E

Bilet nr. 1 ibra 1: Δτ od =.852 ns, Δτ r = 1.641 ns, Δτ 1 = 1.849 ns ibra 2: Δτ od =.333 ns, Δτ r = 1.398 ns, Δτ 2 = 1.437 ns ibra 3: Δτ od =.44 ns, Δτ r = 1.175 ns, Δτ 3 = 1.254 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 4.54 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.685 GHz; V = 137.6Mb/s Led: = 725n, E g = 2.74 1-19 J = 1.712eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.288) = x =.218, opoziţia este: Ga.782 Al.218 As Laser: = 1115n, E g = 1.78 1-19 J = 1.113eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.237 = y =.349, x =.4526/(1-.31 y) =.458, opoziţia este:in.458 Ga.542 As.349.651 riul indiator: = 53n, V() =.8576, o = 11 12.1W = 133.1W, v1 ~ o V() 683l/W = 78. 1 3 l Al doilea indiator: = 485n, V() =.265, o = 14 14.8W = 27.2W, v2 ~ o V() 683l/W = 29.2 1 3 l 77.96 > 29.22 dei priul indiator e ai luinos 4. a).w, b).5w, ) 3.1W, la urentul de 3A dioda NU este saturată. 5. e [db] = 1.4 db; r [db] = 1 lg(118μw/1w) = -9.28dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.84dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 4.26GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 22.6 X 22.6 = 51.76 2 =.511 2 = 9W/ 2 η = 6.99 W; I p = / V p = 6.99W / 11.75V =.595 A V p = 11.75V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.511 2 15.2% 78% /.295N 632 W h/ 2 = 1297.3 d deebrie =.511 2 15.2% 78% /.295N 82 W h/ 2 = 164.6 E

Bilet nr. 11 ibra 1: Δτ od = 1.64 ns, Δτ r = 1.513 ns, Δτ 1 = 1.85 ns ibra 2: Δτ od =.868 ns, Δτ r = 2.354 ns, Δτ 2 = 2.59 ns ibra 3: Δτ od = 1.64 ns, Δτ r = 1.874 ns, Δτ 3 = 2.155 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 6.514 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.478 GHz; V = 95.53Mb/s Led: = 74n, E g = 2.68 1-19 J = 1.678eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.254) = x =.193, opoziţia este: Ga.87 Al.193 As Laser: = 1295n, E g = 1.53 1-19 J =.959eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.391 = y =.64, x =.4526/(1-.31 y) =.461, opoziţia este:in.461 Ga.539 As.64.396 riul indiator: = 595n, V() =.7545, o = 16 12.6W = 21.6W, v1 ~ o V() 683l/W = 13.9 1 3 l Al doilea indiator: = 455n, V() =.724, o = 18 19.6W = 352.8W, v2 ~ o V() 683l/W = 17.4 1 3 l 13.89 > 17.44 dei priul indiator e ai luinos 4. a).w, b).w, ) 2.7W, la urentul de 3A dioda NU este saturată. 5. e [db] = 4.5 db; r [db] = 1 lg(18μw/1w) = -9.67dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] = 1.18dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 34.42GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 25.6 X 25.6 = 655.36 2 =.655 2 = 9W/ 2 η = 9.2 W; I p = / V p = 9.2W / 12.3V =.748 A V p = 12.3V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.655 2 15.6% 79% /.235N 632 W h/ 2 = 2172.1 d deebrie =.655 2 15.6% 79% /.235N 82 W h/ 2 = 275.6 E

Bilet nr. 12 ibra 1: Δτ od =.714 ns, Δτ r = 1.16 ns, Δτ 1 = 1.242 ns ibra 2: Δτ od =.579 ns, Δτ r = 1.125 ns, Δτ 2 = 1.265 ns ibra 3: Δτ od =.763 ns, Δτ r =.823 ns, Δτ 3 = 1.122 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 3.629 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.857 GHz; V = 171.47Mb/s Led: = 85n, E g = 2.47 1-19 J = 1.542eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.118) = x =.92, opoziţia este: Ga.98 Al.92 As Laser: = 115n, E g = 1.73 1-19 J = 1.8eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.27 = y =.43, x =.4526/(1-.31 y) =.458, opoziţia este:in.458 Ga.542 As.43.597 riul indiator: = 585n, V() =.8587, o = 12 16.3W = 195.6W, v1 ~ o V() 683l/W = 114.7 1 3 l Al doilea indiator: = 535n, V() =.971, o = 12 19.W = 228.W, v2 ~ o V() 683l/W = 141.3 1 3 l 114.72 < 141.26 dei al doilea indiator e ai luinos 4. a).w, b).6w, ) 3.6W, la urentul de 3A dioda NU este saturată. 5. e [db] = 9.5 db; r [db] = 1 lg(76μw/1w) = -11.19dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.6dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 17.5GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 23.8 X 23.8 = 566.44 2 =.566 2 = 9W/ 2 η = 6.58 W; I p = / V p = 6.58W / 12.2V =.539 A V p = 12.2V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.566 2 12.9% 84% /.15N 632 W h/ 2 = 3694.5 d deebrie =.566 2 12.9% 84% /.15N 82 W h/ 2 = 468.8 E

Bilet nr. 13 ibra 1: Δτ od = 1.933 ns, Δτ r = 1.857 ns, Δτ 1 = 2.681 ns ibra 2: Δτ od = 2.36 ns, Δτ r = 1.449 ns, Δτ 2 = 2.499 ns ibra 3: Δτ od = 2.36 ns, Δτ r = 1.939 ns, Δτ 3 = 2.812 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 7.991 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.389 GHz; V = 77.87Mb/s Led: = 61n, E g = 3.26 1-19 J = 2.35eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.611) = x =.442, opoziţia este: Ga.558 Al.442 As Laser: = 139n, E g = 1.43 1-19 J =.893eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.457 = y =.721, x =.4526/(1-.31 y) =.463, opoziţia este:in.463 Ga.537 As.721.279 riul indiator: = 575n, V() =.9425, o = 19 14.4W = 273.6W, v1 ~ o V() 683l/W = 176.1 1 3 l Al doilea indiator: = 6n, V() =.6919, o = 11 18.1W = 199.1W, v2 ~ o V() 683l/W = 94.1 1 3 l 176.12 > 94.8 dei priul indiator e ai luinos 4. a).w, b) 1.8W, ) 3.9W, la urentul de 3A dioda ETE saturată. 5. e [db] = 1.7 db; r [db] = 1 lg(16μw/1w) = -9.75dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.72dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 12.74GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 25.4 X 25.4 = 645.16 2 =.645 2 = 9W/ 2 η = 8.94 W; I p = / V p = 8.94W / 12.4V =.721 A V p = 12.4V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.645 2 15.4% 83% /.225N 632 W h/ 2 = 2316.3 d deebrie =.645 2 15.4% 83% /.225N 82 W h/ 2 = 293.9 E

Bilet nr. 14 ibra 1: Δτ od =.917 ns, Δτ r = 1.957 ns, Δτ 1 = 2.161 ns ibra 2: Δτ od = 1.37 ns, Δτ r = 1.811 ns, Δτ 2 = 2.27 ns ibra 3: Δτ od = 1.816 ns, Δτ r = 1.84 ns, Δτ 3 = 2.585 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 7.17 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.443 GHz; V = 88.68Mb/s Led: = 625n, E g = 3.18 1-19 J = 1.986eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.562) = x =.49, opoziţia este: Ga.591 Al.49 As Laser: = 154n, E g = 1.29 1-19 J =.86eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.544 = y =.886, x =.4526/(1-.31 y) =.465, opoziţia este:in.465 Ga.535 As.886.114 riul indiator: = 57n, V() =.9733, o = 1 19.4W = 194.W, v1 ~ o V() 683l/W = 129. 1 3 l Al doilea indiator: = 555n, V() =.9995, o = 13 13.2W = 171.6W, v2 ~ o V() 683l/W = 117.1 1 3 l 128.96 > 117.14 dei priul indiator e ai luinos 4. a).w, b) 1.3W, ) 4.5W, la urentul de 3A dioda NU este saturată. 5. e [db] = 8.2 db; r [db] = 1 lg(97μw/1w) = -1.13dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.97dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 85.63GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 22. X 22. = 484. 2 =.484 2 = 9W/ 2 η = 6.75 W; I p = / V p = 6.75W / 11.7V =.577 A V p = 11.7V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.484 2 15.5% 78% /.195N 632 W h/ 2 = 1896.5 d deebrie =.484 2 15.5% 78% /.195N 82 W h/ 2 = 24.7 E

Bilet nr. 15 ibra 1: Δτ od =.587 ns, Δτ r = 2.776 ns, Δτ 1 = 2.837 ns ibra 2: Δτ od = 1.92 ns, Δτ r = 1.878 ns, Δτ 2 = 2.173 ns ibra 3: Δτ od = 1.486 ns, Δτ r = 2.271 ns, Δτ 3 = 2.714 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 7.724 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.43 GHz; V = 8.56Mb/s Led: = 62n, E g = 3.2 1-19 J = 2.2eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.578) = x =.42, opoziţia este: Ga.58 Al.42 As Laser: = 133n, E g = 1.49 1-19 J =.933eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.417 = y =.649, x =.4526/(1-.31 y) =.462, opoziţia este:in.462 Ga.538 As.649.351 riul indiator: = 565n, V() =.993, o = 13 15.4W = 2.2W, v1 ~ o V() 683l/W = 135.4 1 3 l Al doilea indiator: = 51n, V() =.525, o = 1 15.6W = 156.W, v2 ~ o V() 683l/W = 55.5 1 3 l 135.4 > 55.46 dei priul indiator e ai luinos 4. a).w, b).w, ) 2.7W, la urentul de 3A dioda NU este saturată. 5. e [db] = 4.8 db; r [db] = 1 lg(142μw/1w) = -8.48dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.78dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 38.99GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 26.8 X 26.8 = 718.24 2 =.718 2 = 9W/ 2 η = 9.76 W; I p = / V p = 9.76W / 11.65V =.838 A V p = 11.65V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.718 2 15.1% 75% /.255N 632 W h/ 2 = 216. d deebrie =.718 2 15.1% 75% /.255N 82 W h/ 2 = 255.8 E

Bilet nr. 16 ibra 1: Δτ od =.923 ns, Δτ r = 1.42 ns, Δτ 1 = 1.693 ns ibra 2: Δτ od =.923 ns, Δτ r = 1.651 ns, Δτ 2 = 1.891 ns ibra 3: Δτ od =.729 ns, Δτ r = 1.296 ns, Δτ 3 = 1.487 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 5.71 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.614 GHz; V = 122.71Mb/s Led: = 78n, E g = 2.55 1-19 J = 1.592eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.168) = x =.129, opoziţia este: Ga.871 Al.129 As Laser: = 133n, E g = 1.49 1-19 J =.933eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.417 = y =.649, x =.4526/(1-.31 y) =.462, opoziţia este:in.462 Ga.538 As.649.351 riul indiator: = 615n, V() =.4896, o = 13 16.1W = 29.3W, v1 ~ o V() 683l/W = 7. 1 3 l Al doilea indiator: = 45n, V() =.647, o = 12 15.W = 18.W, v2 ~ o V() 683l/W = 8. 1 3 l 69.99 > 7.96 dei priul indiator e ai luinos 4. a).w, b).8w, ) 4.W, la urentul de 3A dioda NU este saturată. 5. e [db] = 6.1 db; r [db] = 1 lg(135μw/1w) = -8.7dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.86dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 54.36GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 2.5 X 2.5 = 42.25 2 =.42 2 = 9W/ 2 η = 5.3 W; I p = / V p = 5.3W / 12.25V =.411 A V p = 12.25V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.42 2 13.3% 7% /.13N 632 W h/ 2 = 192.1 d deebrie =.42 2 13.3% 7% /.13N 82 W h/ 2 = 241.4 E

Bilet nr. 17 ibra 1: Δτ od =.559 ns, Δτ r = 1.633 ns, Δτ 1 = 1.726 ns ibra 2: Δτ od = 1.175 ns, Δτ r = 1.478 ns, Δτ 2 = 1.888 ns ibra 3: Δτ od =.85 ns, Δτ r = 2.74 ns, Δτ 3 = 2.225 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 5.839 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.533 GHz; V = 16.57Mb/s Led: = 755n, E g = 2.63 1-19 J = 1.644eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.22) = x =.168, opoziţia este: Ga.832 Al.168 As Laser: = 156n, E g = 1.27 1-19 J =.796eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.554 = y =.97, x =.4526/(1-.31 y) =.466, opoziţia este:in.466 Ga.534 As.97.93 riul indiator: = 5n, V() =.3484, o = 14 17.1W = 239.4W, v1 ~ o V() 683l/W = 57. 1 3 l Al doilea indiator: = 54n, V() =.9545, o = 19 15.9W = 32.1W, v2 ~ o V() 683l/W = 196.9 1 3 l 56.96 < 196.94 dei al doilea indiator e ai luinos 4. a).w, b).6w, ) 2.7W, la urentul de 3A dioda ETE saturată. 5. e [db] = 4.5 db; r [db] = 1 lg(51μw/1w) = -12.92dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] = 1.21dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 36.47GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 29. X 29. = 841. 2 =.841 2 = 9W/ 2 η = 11.13 W; I p = / V p = 11.13W / 11.6V =.959 A V p = 11.6V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.841 2 14.7% 75% /.29N 632 W h/ 2 = 22.7 d deebrie =.841 2 14.7% 75% /.29N 82 W h/ 2 = 256.4 E

Bilet nr. 18 ibra 1: Δτ od =.576 ns, Δτ r = 2.425 ns, Δτ 1 = 2.492 ns ibra 2: Δτ od =.527 ns, Δτ r = 1.665 ns, Δτ 2 = 1.747 ns ibra 3: Δτ od =.576 ns, Δτ r = 1.837 ns, Δτ 3 = 1.925 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 6.164 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.55 GHz; V = 1.96Mb/s Led: = 685n, E g = 2.9 1-19 J = 1.812eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.388) = x =.289, opoziţia este: Ga.711 Al.289 As Laser: = 1545n, E g = 1.29 1-19 J =.84eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.546 = y =.891, x =.4526/(1-.31 y) =.465, opoziţia este:in.465 Ga.535 As.891.19 riul indiator: = 495n, V() =.2851, o = 1 12.6W = 126.W, v1 ~ o V() 683l/W = 24.5 1 3 l Al doilea indiator: = 61n, V() =.5584, o = 14 13.3W = 186.2W, v2 ~ o V() 683l/W = 71. 1 3 l 24.53 < 71.1 dei al doilea indiator e ai luinos 4. a).w, b).w, ) 2.2W, la urentul de 3A dioda NU este saturată. 5. e [db] = 6.7 db; r [db] = 1 lg(89μw/1w) = -1.51dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.6dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 53.7GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 29.4 X 29.4 = 864.36 2 =.864 2 = 9W/ 2 η = 1.89 W; I p = / V p = 1.89W / 11.8V =.923 A V p = 11.8V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.864 2 14.% 81% /.13N 632 W h/ 2 = 4765.2 d deebrie =.864 2 14.% 81% /.13N 82 W h/ 2 = 64.7 E

Bilet nr. 19 ibra 1: Δτ od = 1.238 ns, Δτ r = 2.896 ns, Δτ 1 = 3.149 ns ibra 2: Δτ od =.55 ns, Δτ r = 2.379 ns, Δτ 2 = 2.442 ns ibra 3: Δτ od = 1.685 ns, Δτ r = 2.93 ns, Δτ 3 = 3.38 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 8.971 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.347 GHz; V = 69.36Mb/s Led: = 725n, E g = 2.74 1-19 J = 1.712eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.288) = x =.218, opoziţia este: Ga.782 Al.218 As Laser: = 1315n, E g = 1.51 1-19 J =.944eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.46 = y =.63, x =.4526/(1-.31 y) =.462, opoziţia este:in.462 Ga.538 As.63.37 riul indiator: = 55n, V() =.4278, o = 15 13.2W = 198.W, v1 ~ o V() 683l/W = 57.8 1 3 l Al doilea indiator: = 525n, V() =.7946, o = 17 11.8W = 2.6W, v2 ~ o V() 683l/W = 18.9 1 3 l 57.85 < 18.87 dei al doilea indiator e ai luinos 4. a).w, b) 2.8W, ) 4.4W, la urentul de 3A dioda ETE saturată. 5. e [db] = 11.4 db; r [db] = 1 lg(75μw/1w) = -11.25dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.87dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 3.5GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 24.5 X 24.5 = 6.25 2 =.6 2 = 9W/ 2 η = 6.48 W; I p = / V p = 6.48W / 12.25V =.529 A V p = 12.25V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.6 2 12.% 8% /.25N 632 W h/ 2 = 1776.5 d deebrie =.6 2 12.% 8% /.25N 82 W h/ 2 = 225.4 E

Bilet nr. 2 ibra 1: Δτ od = 1.334 ns, Δτ r = 1.417 ns, Δτ 1 = 1.946 ns ibra 2: Δτ od =.515 ns, Δτ r = 1.117 ns, Δτ 2 = 1.23 ns ibra 3: Δτ od =.515 ns, Δτ r =.988 ns, Δτ 3 = 1.114 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 4.291 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.725 GHz; V = 145.3Mb/s Led: = 72n, E g = 2.76 1-19 J = 1.724eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.3) = x =.226, opoziţia este: Ga.774 Al.226 As Laser: = 1635n, E g = 1.21 1-19 J =.759eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.591 = y =.981, x =.4526/(1-.31 y) =.467, opoziţia este:in.467 Ga.533 As.981.19 riul indiator: = 48n, V() =.1788, o = 18 14.1W = 253.8W, v1 ~ o V() 683l/W = 31. 1 3 l Al doilea indiator: = 52n, V() =.7181, o = 19 12.2W = 231.8W, v2 ~ o V() 683l/W = 113.7 1 3 l 31. < 113.69 dei al doilea indiator e ai luinos 4. a).3w, b) 2.9W, ) 5.5W, la urentul de 3A dioda NU este saturată. 5. e [db] = 4.6 db; r [db] = 1 lg(148μw/1w) = -8.3dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.53dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 68.71GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 27.8 X 27.8 = 772.84 2 =.773 2 = 9W/ 2 η = 9.32 W; I p = / V p = 9.32W / 11.5V =.81 A V p = 11.5V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.773 2 13.4% 8% /.23N 632 W h/ 2 = 2276.5 d deebrie =.773 2 13.4% 8% /.23N 82 W h/ 2 = 288.9 E

Bilet nr. 21 ibra 1: Δτ od =.612 ns, Δτ r = 1.125 ns, Δτ 1 = 1.281 ns ibra 2: Δτ od =.723 ns, Δτ r = 1.89 ns, Δτ 2 = 1.37 ns ibra 3: Δτ od = 1.671 ns, Δτ r = 1.18 ns, Δτ 3 = 2.46 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 4.634 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.671 GHz; V = 134.27Mb/s Led: = 64n, E g = 3.1 1-19 J = 1.94eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.516) = x =.378, opoziţia este: Ga.622 Al.378 As Laser: = 161n, E g = 1.23 1-19 J =.771eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.579 = y =.956, x =.4526/(1-.31 y) =.466, opoziţia este:in.466 Ga.534 As.956.44 riul indiator: = 575n, V() =.9425, o = 16 11.9W = 19.4W, v1 ~ o V() 683l/W = 122.6 1 3 l Al doilea indiator: = 55n, V() =.4278, o = 12 1.9W = 13.8W, v2 ~ o V() 683l/W = 38.2 1 3 l 122.56 > 38.21 dei priul indiator e ai luinos 4. a).3w, b) 3.4W, ) 3.9W, la urentul de 3A dioda ETE saturată. 5. e [db] = 8. db; r [db] = 1 lg(125μw/1w) = -9.3dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.96dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 25.56GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 2.6 X 2.6 = 424.36 2 =.424 2 = 9W/ 2 η = 5.19 W; I p = / V p = 5.19W / 11.8V =.44 A V p = 11.8V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.424 2 13.6% 83% /.29N 632 W h/ 2 = 143.9 d deebrie =.424 2 13.6% 83% /.29N 82 W h/ 2 = 132.5 E

Bilet nr. 22 ibra 1: Δτ od =.834 ns, Δτ r = 1.57 ns, Δτ 1 = 1.778 ns ibra 2: Δτ od =.426 ns, Δτ r = 1.744 ns, Δτ 2 = 1.795 ns ibra 3: Δτ od =.469 ns, Δτ r = 2.168 ns, Δτ 3 = 2.218 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 5.791 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.537 GHz; V = 17.46Mb/s Led: = 75n, E g = 2.65 1-19 J = 1.655eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.231) = x =.176, opoziţia este: Ga.824 Al.176 As Laser: = 1335n, E g = 1.49 1-19 J =.93eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.42 = y =.655, x =.4526/(1-.31 y) =.462, opoziţia este:in.462 Ga.538 As.655.345 riul indiator: = 575n, V() =.9425, o = 16 19.2W = 37.2W, v1 ~ o V() 683l/W = 197.7 1 3 l Al doilea indiator: = 54n, V() =.9545, o = 16 18.W = 288.W, v2 ~ o V() 683l/W = 187.7 1 3 l 197.74 > 187.75 dei priul indiator e ai luinos 4. a).w, b) 3.2W, ) 6.5W, la urentul de 3A dioda NU este saturată. 5. e [db] = 1.4 db; r [db] = 1 lg(84μw/1w) = -1.76dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.6dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 58.7GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 23.8 X 23.8 = 566.44 2 =.566 2 = 9W/ 2 η = 6.83 W; I p = / V p = 6.83W / 11.95V =.572 A V p = 11.95V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.566 2 13.4% 74% /.29N 632 W h/ 2 = 1224.1 d deebrie =.566 2 13.4% 74% /.29N 82 W h/ 2 = 155.3 E

Bilet nr. 23 ibra 1: Δτ od =.463 ns, Δτ r = 1.558 ns, Δτ 1 = 1.625 ns ibra 2: Δτ od =.463 ns, Δτ r = 1.576 ns, Δτ 2 = 1.643 ns ibra 3: Δτ od = 1.33 ns, Δτ r = 1.594 ns, Δτ 3 = 2.77 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 5.344 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.582 GHz; V = 116.43Mb/s Led: = 785n, E g = 2.53 1-19 J = 1.582eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.158) = x =.121, opoziţia este: Ga.879 Al.121 As Laser: = 155n, E g = 1.32 1-19 J =.825eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.525 = y =.85, x =.4526/(1-.31 y) =.465, opoziţia este:in.465 Ga.535 As.85.15 riul indiator: = 62n, V() =.423, o = 16 11.8W = 188.8W, v1 ~ o V() 683l/W = 54.5 1 3 l Al doilea indiator: = 56n, V() =.9968, o = 16 1.7W = 171.2W, v2 ~ o V() 683l/W = 116.6 1 3 l 54.54 < 116.55 dei al doilea indiator e ai luinos 4. a).w, b) 1.9W, ) 4.7W, la urentul de 3A dioda NU este saturată. 5. e [db] = 9.3 db; r [db] = 1 lg(13μw/1w) = -9.87dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] = 1.12dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 55.5GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 2.6 X 2.6 = 424.36 2 =.424 2 = 9W/ 2 η = 4.7 W; I p = / V p = 4.7W / 12.35V =.38 A V p = 12.35V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.424 2 12.3% 8% /.28N 632 W h/ 2 = 942.5 d deebrie =.424 2 12.3% 8% /.28N 82 W h/ 2 = 119.6 E

Bilet nr. 24 ibra 1: Δτ od = 1.77 ns, Δτ r = 1.429 ns, Δτ 1 = 2.226 ns ibra 2: Δτ od =.96 ns, Δτ r = 1.829 ns, Δτ 2 = 2.65 ns ibra 3: Δτ od = 1.83 ns, Δτ r = 1.33 ns, Δτ 3 = 2.225 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 6.517 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.477 GHz; V = 95.48Mb/s Led: = 615n, E g = 3.23 1-19 J = 2.19eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.595) = x =.431, opoziţia este: Ga.569 Al.431 As Laser: = 132n, E g = 1.5 1-19 J =.941eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.49 = y =.636, x =.4526/(1-.31 y) =.462, opoziţia este:in.462 Ga.538 As.636.364 riul indiator: = 62n, V() =.423, o = 19 15.8W = 3.2W, v1 ~ o V() 683l/W = 86.7 1 3 l Al doilea indiator: = 62n, V() =.423, o = 15 18.2W = 273.W, v2 ~ o V() 683l/W = 78.9 1 3 l 86.73 > 78.87 dei priul indiator e ai luinos 4. a).w, b).3w, ) 2.9W, la urentul de 3A dioda NU este saturată. 5. e [db] = 6.8 db; r [db] = 1 lg(73μw/1w) = -11.37dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.75dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 74.9GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 29.3 X 29.3 = 858.49 2 =.858 2 = 9W/ 2 η = 11.98 W; I p = / V p = 11.98W / 12.45V =.962 A V p = 12.45V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.858 2 15.5% 72% /.285N 632 W h/ 2 = 2124.6 d deebrie =.858 2 15.5% 72% /.285N 82 W h/ 2 = 269.6 E

Bilet nr. 25 ibra 1: Δτ od = 1.785 ns, Δτ r = 1.454 ns, Δτ 1 = 2.32 ns ibra 2: Δτ od = 1.4 ns, Δτ r = 1.661 ns, Δτ 2 = 1.96 ns ibra 3: Δτ od =.773 ns, Δτ r = 1.516 ns, Δτ 3 = 1.72 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 5.964 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.522 GHz; V = 14.34Mb/s Led: = 675n, E g = 2.94 1-19 J = 1.839eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.415) = x =.38, opoziţia este: Ga.692 Al.38 As Laser: = 147n, E g = 1.35 1-19 J =.845eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.55 = y =.812, x =.4526/(1-.31 y) =.464, opoziţia este:in.464 Ga.536 As.812.188 riul indiator: = 5n, V() =.3484, o = 13 11.4W = 148.2W, v1 ~ o V() 683l/W = 35.3 1 3 l Al doilea indiator: = 465n, V() =.16, o = 14 13.2W = 184.8W, v2 ~ o V() 683l/W = 13.4 1 3 l 35.26 > 13.38 dei priul indiator e ai luinos 4. a).w, b) 1.7W, ) 4.8W, la urentul de 3A dioda NU este saturată. 5. e [db] = 9.4 db; r [db] = 1 lg(138μw/1w) = -8.6dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] = 1.15dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 85.25GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 25.3 X 25.3 = 64.9 2 =.64 2 = 9W/ 2 η = 8.7 W; I p = / V p = 8.7W / 12.3V =.656 A V p = 12.3V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.64 2 14.% 77% /.235N 632 W h/ 2 = 1855.7 d deebrie =.64 2 14.% 77% /.235N 82 W h/ 2 = 235.5 E

Bilet nr. 26 ibra 1: Δτ od = 1.169 ns, Δτ r = 1.732 ns, Δτ 1 = 2.9 ns ibra 2: Δτ od =.429 ns, Δτ r = 1.394 ns, Δτ 2 = 1.459 ns ibra 3: Δτ od =.842 ns, Δτ r = 1.775 ns, Δτ 3 = 1.964 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 5.513 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.564 GHz; V = 112.86Mb/s Led: = 78n, E g = 2.55 1-19 J = 1.592eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.168) = x =.129, opoziţia este: Ga.871 Al.129 As Laser: = 1485n, E g = 1.34 1-19 J =.836eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.514 = y =.828, x =.4526/(1-.31 y) =.465, opoziţia este:in.465 Ga.535 As.828.172 riul indiator: = 565n, V() =.993, o = 17 12.4W = 21.8W, v1 ~ o V() 683l/W = 142.6 1 3 l Al doilea indiator: = 575n, V() =.9425, o = 17 19.8W = 336.6W, v2 ~ o V() 683l/W = 216.7 1 3 l 142.57 < 216.67 dei al doilea indiator e ai luinos 4. a).3w, b) 3.5W, ) 3.5W, la urentul de 3A dioda ETE saturată. 5. e [db] = 11.2 db; r [db] = 1 lg(62μw/1w) = -12.8dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.79dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 8.38GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 27.8 X 27.8 = 772.84 2 =.773 2 = 9W/ 2 η = 1.36 W; I p = / V p = 1.36W / 11.75V =.882 A V p = 11.75V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.773 2 14.9% 78% /.13N 632 W h/ 2 = 4366.6 d deebrie =.773 2 14.9% 78% /.13N 82 W h/ 2 = 554.1 E

Bilet nr. 27 ibra 1: Δτ od = 1.556 ns, Δτ r = 1.956 ns, Δτ 1 = 2.499 ns ibra 2: Δτ od = 2.47 ns, Δτ r = 1.734 ns, Δτ 2 = 2.682 ns ibra 3: Δτ od =.593 ns, Δτ r = 1.934 ns, Δτ 3 = 2.23 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 7.25 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.432 GHz; V = 86.37Mb/s Led: = 795n, E g = 2.5 1-19 J = 1.562eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.138) = x =.16, opoziţia este: Ga.894 Al.16 As Laser: = 1385n, E g = 1.43 1-19 J =.896eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.454 = y =.715, x =.4526/(1-.31 y) =.463, opoziţia este:in.463 Ga.537 As.715.285 riul indiator: = 65n, V() =.627, o = 17 14.5W = 246.5W, v1 ~ o V() 683l/W = 15.6 1 3 l Al doilea indiator: = 64n, V() =.1943, o = 16 13.5W = 216.W, v2 ~ o V() 683l/W = 28.7 1 3 l 15.56 > 28.67 dei priul indiator e ai luinos 4. a).w, b).w, ) 2.8W, la urentul de 3A dioda NU este saturată. 5. e [db] = 7.2 db; r [db] = 1 lg(58μw/1w) = -12.37dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.91dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 17.7GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 28.1 X 28.1 = 789.61 2 =.79 2 = 9W/ 2 η = 1.59 W; I p = / V p = 1.59W / 11.85V =.894 A V p = 11.85V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.79 2 14.9% 75% /.12N 632 W h/ 2 = 4647.2 d deebrie =.79 2 14.9% 75% /.12N 82 W h/ 2 = 589.7 E

Bilet nr. 28 ibra 1: Δτ od = 1.32 ns, Δτ r =.89 ns, Δτ 1 = 1.363 ns ibra 2: Δτ od =.394 ns, Δτ r = 1.335 ns, Δτ 2 = 1.392 ns ibra 3: Δτ od =.914 ns, Δτ r = 1.294 ns, Δτ 3 = 1.585 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 4.339 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.717 GHz; V = 143.4Mb/s Led: = 765n, E g = 2.6 1-19 J = 1.623eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.199) = x =.152, opoziţia este: Ga.848 Al.152 As Laser: = 159n, E g = 1.25 1-19 J =.781eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.569 = y =.937, x =.4526/(1-.31 y) =.466, opoziţia este:in.466 Ga.534 As.937.63 riul indiator: = 52n, V() =.7181, o = 13 18.7W = 243.1W, v1 ~ o V() 683l/W = 119.2 1 3 l Al doilea indiator: = 59n, V() =.8116, o = 11 16.8W = 184.8W, v2 ~ o V() 683l/W = 12.4 1 3 l 119.23 > 12.44 dei priul indiator e ai luinos 4. a).w, b).9w, ) 3.8W, la urentul de 3A dioda NU este saturată. 5. e [db] = 9. db; r [db] = 1 lg(51μw/1w) = -12.92dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.59dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 2.36GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 29.7 X 29.7 = 882.9 2 =.882 2 = 9W/ 2 η = 9.69 W; I p = / V p = 9.69W / 11.95V =.81 A V p = 11.95V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.882 2 12.2% 71% /.29N 632 W h/ 2 = 1665.1 d deebrie =.882 2 12.2% 71% /.29N 82 W h/ 2 = 211.3 E

Bilet nr. 29 ibra 1: Δτ od = 1.63 ns, Δτ r = 1.79 ns, Δτ 1 = 2.82 ns ibra 2: Δτ od =.998 ns, Δτ r = 1.84 ns, Δτ 2 = 2.93 ns ibra 3: Δτ od =.72 ns, Δτ r = 1.815 ns, Δτ 3 = 1.946 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 6.121 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.58 GHz; V = 11.66Mb/s Led: = 735n, E g = 2.7 1-19 J = 1.689eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.265) = x =.21, opoziţia este: Ga.799 Al.21 As Laser: = 1625n, E g = 1.22 1-19 J =.764eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.586 = y =.971, x =.4526/(1-.31 y) =.467, opoziţia este:in.467 Ga.533 As.971.29 riul indiator: = 585n, V() =.8587, o = 13 18.2W = 236.6W, v1 ~ o V() 683l/W = 138.8 1 3 l Al doilea indiator: = 545n, V() =.9814, o = 13 16.8W = 218.4W, v2 ~ o V() 683l/W = 146.4 1 3 l 138.77 < 146.39 dei al doilea indiator e ai luinos 4. a).1w, b) 3.3W, ) 6.5W, la urentul de 3A dioda NU este saturată. 5. e [db] = 11.6 db; r [db] = 1 lg(146μw/1w) = -8.36dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.86dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 22.3GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 27.8 X 27.8 = 772.84 2 =.773 2 = 9W/ 2 η = 9.81 W; I p = / V p = 9.81W / 12.5V =.814 A V p = 12.5V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.773 2 14.1% 77% /.12N 632 W h/ 2 = 4419.1 d deebrie =.773 2 14.1% 77% /.12N 82 W h/ 2 = 56.8 E

Bilet nr. 3 ibra 1: Δτ od =.99 ns, Δτ r = 2.534 ns, Δτ 1 = 2.692 ns ibra 2: Δτ od = 1.44 ns, Δτ r = 2.32 ns, Δτ 2 = 2.544 ns ibra 3: Δτ od = 1.53 ns, Δτ r = 2.869 ns, Δτ 3 = 3.239 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 8.475 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.367 GHz; V = 73.42Mb/s Led: = 835n, E g = 2.38 1-19 J = 1.487eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.63) = x =.49, opoziţia este: Ga.951 Al.49 As Laser: = 1225n, E g = 1.62 1-19 J = 1.13eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.337 = y =.511, x =.4526/(1-.31 y) =.46, opoziţia este:in.46 Ga.54 As.511.489 riul indiator: = 53n, V() =.8576, o = 12 19.2W = 23.4W, v1 ~ o V() 683l/W = 135. 1 3 l Al doilea indiator: = 645n, V() =.1547, o = 17 14.7W = 249.9W, v2 ~ o V() 683l/W = 26.4 1 3 l 134.95 > 26.41 dei priul indiator e ai luinos 4. a).w, b) 1.8W, ) 2.6W, la urentul de 3A dioda ETE saturată. 5. e [db] = 9.2 db; r [db] = 1 lg(92μw/1w) = -1.36dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.77dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 85.46GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 24.1 X 24.1 = 58.81 2 =.581 2 = 9W/ 2 η = 7.37 W; I p = / V p = 7.37W / 11.8V =.625 A V p = 11.8V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.581 2 14.1% 82% /.275N 632 W h/ 2 = 1543.3 d deebrie =.581 2 14.1% 82% /.275N 82 W h/ 2 = 195.8 E

Bilet nr. 31 ibra 1: Δτ od =.59 ns, Δτ r = 1.647 ns, Δτ 1 = 1.723 ns ibra 2: Δτ od =.644 ns, Δτ r = 1.513 ns, Δτ 2 = 1.644 ns ibra 3: Δτ od =.962 ns, Δτ r = 1.82 ns, Δτ 3 = 2.43 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 5.411 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.575 GHz; V = 115.Mb/s Led: = 61n, E g = 3.26 1-19 J = 2.35eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.611) = x =.442, opoziţia este: Ga.558 Al.442 As Laser: = 1385n, E g = 1.43 1-19 J =.896eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.454 = y =.715, x =.4526/(1-.31 y) =.463, opoziţia este:in.463 Ga.537 As.715.285 riul indiator: = 48n, V() =.1788, o = 1 1.6W = 16.W, v1 ~ o V() 683l/W = 12.9 1 3 l Al doilea indiator: = 64n, V() =.1943, o = 17 13.9W = 236.3W, v2 ~ o V() 683l/W = 31.4 1 3 l 12.95 < 31.36 dei al doilea indiator e ai luinos 4. a).w, b) 2.4W, ) 4.3W, la urentul de 3A dioda ETE saturată. 5. e [db] = 6.2 db; r [db] = 1 lg(72μw/1w) = -11.43dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.98dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 29.13GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 23.3 X 23.3 = 542.89 2 =.543 2 = 9W/ 2 η = 6.4 W; I p = / V p = 6.4W / 11.85V =.54 A V p = 11.85V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.543 2 13.1% 7% /.155N 632 W h/ 2 = 229.9 d deebrie =.543 2 13.1% 7% /.155N 82 W h/ 2 = 257.6 E

Bilet nr. 32 ibra 1: Δτ od = 1.548 ns, Δτ r = 2.74 ns, Δτ 1 = 3.116 ns ibra 2: Δτ od =.991 ns, Δτ r = 3.63 ns, Δτ 2 = 3.219 ns ibra 3: Δτ od = 1.922 ns, Δτ r = 3.63 ns, Δτ 3 = 3.616 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 9.95 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.313 GHz; V = 62.54Mb/s Led: = 845n, E g = 2.35 1-19 J = 1.469eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.45) = x =.35, opoziţia este: Ga.965 Al.35 As Laser: = 145n, E g = 1.41 1-19 J =.884eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.466 = y =.739, x =.4526/(1-.31 y) =.463, opoziţia este:in.463 Ga.537 As.739.261 riul indiator: = 56n, V() =.9968, o = 14 19.1W = 267.4W, v1 ~ o V() 683l/W = 182. 1 3 l Al doilea indiator: = 46n, V() =.851, o = 1 1.W = 1.W, v2 ~ o V() 683l/W = 5.8 1 3 l 182.5 > 5.82 dei priul indiator e ai luinos 4. a).w, b) 1.6W, ) 4.4W, la urentul de 3A dioda NU este saturată. 5. e [db] = 9.8 db; r [db] = 1 lg(119μw/1w) = -9.24dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.56dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 55.29GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 25.4 X 25.4 = 645.16 2 =.645 2 = 9W/ 2 η = 8.54 W; I p = / V p = 8.54W / 12.2V =.7 A V p = 12.2V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.645 2 14.7% 71% /.24N 632 W h/ 2 = 1773.2 d deebrie =.645 2 14.7% 71% /.24N 82 W h/ 2 = 225. E

Bilet nr. 33 ibra 1: Δτ od = 1.54 ns, Δτ r = 1.748 ns, Δτ 1 = 2.41 ns ibra 2: Δτ od = 1.781 ns, Δτ r = 1.619 ns, Δτ 2 = 2.46 ns ibra 3: Δτ od = 1.54 ns, Δτ r = 2.29 ns, Δτ 3 = 2.286 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 6.733 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.462 GHz; V = 92.41Mb/s Led: = 74n, E g = 2.68 1-19 J = 1.678eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.254) = x =.193, opoziţia este: Ga.87 Al.193 As Laser: = 116n, E g = 1.71 1-19 J = 1.7eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.28 = y =.418, x =.4526/(1-.31 y) =.459, opoziţia este:in.459 Ga.541 As.418.582 riul indiator: = 495n, V() =.2851, o = 17 18.1W = 37.7W, v1 ~ o V() 683l/W = 59.9 1 3 l Al doilea indiator: = 525n, V() =.7946, o = 14 12.W = 168.W, v2 ~ o V() 683l/W = 91.2 1 3 l 59.91 < 91.18 dei al doilea indiator e ai luinos 4. a).w, b) 1.6W, ) 4.4W, la urentul de 3A dioda ETE saturată. 5. e [db] = 1.3 db; r [db] = 1 lg(75μw/1w) = -11.25dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.76dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 5.15GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 24.8 X 24.8 = 615.4 2 =.615 2 = 9W/ 2 η = 7.69 W; I p = / V p = 7.69W / 12.4V =.62 A V p = 12.4V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.615 2 13.9% 77% /.11N 632 W h/ 2 = 3782.1 d deebrie =.615 2 13.9% 77% /.11N 82 W h/ 2 = 479.9 E

Bilet nr. 34 ibra 1: Δτ od =.592 ns, Δτ r = 1.749 ns, Δτ 1 = 1.846 ns ibra 2: Δτ od = 1.644 ns, Δτ r = 2.175 ns, Δτ 2 = 2.726 ns ibra 3: Δτ od = 1.644 ns, Δτ r = 1.637 ns, Δτ 3 = 2.32 ns Efetele suesive se adună: Δτ = Δτ 1 + Δτ 2 + Δτ 3 = 6.892 ns B el [GHz] =.44 / Δτ [ns] / 2 =.451 GHz; V = 9.29Mb/s Led: = 775n, E g = 2.56 1-19 J = 1.62eV, ateriale utilizate Ga 1-x Al x As Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.424 + 1.266 x +.266 x 2 ;.266 x 2 + 1.266 x + (-.178) = x =.137, opoziţia este: Ga.863 Al.137 As Laser: = 145n, E g = 1.37 1-19 J =.856eV, ateriale utilizate In x Ga 1-x As y 1-y Euaţie de gradul 2: E g [ev] = 1.35 -.72 y +.12 y 2 ;.12 y 2 -.72 y +.494 = y =.79, x =.4526/(1-.31 y) =.464, opoziţia este:in.464 Ga.536 As.79.21 riul indiator: = 51n, V() =.525, o = 16 17.1W = 273.6W, v1 ~ o V() 683l/W = 97.3 1 3 l Al doilea indiator: = 55n, V() =.4278, o = 15 12.W = 18.W, v2 ~ o V() 683l/W = 52.6 1 3 l 97.26 > 52.59 dei priul indiator e ai luinos 4. a).5w, b) 3.2W, ) 4.4W, la urentul de 3A dioda ETE saturată. 5. e [db] = 6.3 db; r [db] = 1 lg(14μw/1w) = -8.54dB A[dB/k] = ( r [db] - e [db]) / L[k] =.91dB/k 6. Δf Δλ /λ 2 = 51.54GHz 7. a) uprafaţa elulelor: = 28. X 28. = 784. 2 =.784 2 = 9W/ 2 η = 1.58 W; I p = / V p = 1.58W / 12.3V =.86 A V p = 12.3V şi u odifiarea urentului absorbit pentru a păstra aeastă valoare a tensiunii (aptând e dt dt v dt d d d iulie =.784 2 15.% 71% /.15N 632 W h/ 2 = 525.7 d deebrie =.784 2 15.% 71% /.15N 82 W h/ 2 = 637.8 E